SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
平面型InGaAs/InPAPD边缘提前击穿行为的抑制
肖雪芳; 杨国华; 王国宏; 王树堂; 陈良惠
2006
Source Publication半导体光电
Volume27Issue:3Pages:278-281
Abstract平面型雪崩光电二极管(APD)在结弯曲处具有高的电场,导致在结边缘的提前击穿。运用FEMLAB软件对不同工艺流程制备的三种不同结构平面型InP/InGaAsAPD的电场分布进行了二维有限元模拟,在表面电荷密度为5×10^11cm^-2时分析了吸收层厚度、保护环掺杂浓度、保护环和中央结纵向及横向间距等因素对边缘提前击穿特性的抑制程度。比较了这三种结构的InP/InGaAsAPD在边缘提前击穿的抑制特性的优劣。通过理论研究对平面InP/InGaAsAPD进行了优化。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2448778
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16581
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
肖雪芳,杨国华,王国宏,等. 平面型InGaAs/InPAPD边缘提前击穿行为的抑制[J]. 半导体光电,2006,27(3):278-281.
APA 肖雪芳,杨国华,王国宏,王树堂,&陈良惠.(2006).平面型InGaAs/InPAPD边缘提前击穿行为的抑制.半导体光电,27(3),278-281.
MLA 肖雪芳,et al."平面型InGaAs/InPAPD边缘提前击穿行为的抑制".半导体光电 27.3(2006):278-281.
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