SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaMnAs的Raman光谱研究
马宝珊; 王文杰; 苏付海; 邓加军; 蒋春萍; 刘海林; 丁琨; 赵建华; 李国华
2006
Source Publication红外与毫米波学报
Volume25Issue:3Pages:207-212
Abstract报道了磁性半导体材料GaMnAs的拉曼光谱,发现其空穴等离子体激元与LO声子振动耦合形成的CPLP模具有类LO模的偏振特性.随着Mn组分的增加,CPLP模的拉曼频率红移,通过CPLP模与耗尽层中未屏蔽的LO模的强度比计算了合金中的空穴载流子浓度.发现空穴浓度随Mn组分的增加而迅速增加.测量了不同温度下GaMnAs合金的拉曼光谱,证实合金中空穴浓度随温度的增加而增加.
metadata_83中国科学院半导体研究所;武汉大学物理学院
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2454614
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16579
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
马宝珊,王文杰,苏付海,等. GaMnAs的Raman光谱研究[J]. 红外与毫米波学报,2006,25(3):207-212.
APA 马宝珊.,王文杰.,苏付海.,邓加军.,蒋春萍.,...&李国华.(2006).GaMnAs的Raman光谱研究.红外与毫米波学报,25(3),207-212.
MLA 马宝珊,et al."GaMnAs的Raman光谱研究".红外与毫米波学报 25.3(2006):207-212.
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