SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
二维荷电粒子维格纳晶格:边界效应
张振中; 蒋昌忠; 常凯
2006
Source Publication计算物理
Volume23Issue:4Pages:470-476
Abstract采用一种非线性的优化方法,研究了处于硬壁限制势下二维带电多粒子系统的基态,分析不同形状边界对系统基态构型的影响.由于圆形边界对称性高,基态结构和抛物限制势下情况相似.在正方形边界下,当系统粒子数N〈66时,荷电粒子形成方形晶格;当N≥66时,由于边界影响被削弱,内层粒子形成六角维格纳晶格.进一步分析了椭圆和矩形边界对维格纳晶格的影响.
metadata_83武汉大学物理与科学技术学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金,863资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2470465
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16573
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张振中,蒋昌忠,常凯. 二维荷电粒子维格纳晶格:边界效应[J]. 计算物理,2006,23(4):470-476.
APA 张振中,蒋昌忠,&常凯.(2006).二维荷电粒子维格纳晶格:边界效应.计算物理,23(4),470-476.
MLA 张振中,et al."二维荷电粒子维格纳晶格:边界效应".计算物理 23.4(2006):470-476.
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