SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
低温生长GaAs在Nd:YVO4激光器中调Q特性的研究
姜其畅; 卓壮; 王勇刚; 李健; 苏艳丽; 马骁宇; 张志刚; 王清月
2006
Source Publication光子学报
Volume35Issue:8Pages:1133-1136
Abstract采用一种新型的被动调Q饱和吸收体,低温生长GaAs薄膜,实现了半导体抽运Nd:YVO4激光器的调Q运转.研究了激光器的调Q特性,调Q抽运阈值为2W.在抽运功率9.2 W时,获得的最短脉冲半峰全宽为15 ns,最大单脉冲能量为4.84 μJ,最高峰值功率为330 W,最大平均输出功率为1.16 W;脉冲重复频率在220 kHz到360 kHz之间.
metadata_83山东师范大学物理与电子科学学院;中国科学院半导体研究所;天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光实验室
Subject Area半导体器件
Funding Organization山东省科技厅科技攻关计划资助
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2476537
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16571
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
姜其畅,卓壮,王勇刚,等. 低温生长GaAs在Nd:YVO4激光器中调Q特性的研究[J]. 光子学报,2006,35(8):1133-1136.
APA 姜其畅.,卓壮.,王勇刚.,李健.,苏艳丽.,...&王清月.(2006).低温生长GaAs在Nd:YVO4激光器中调Q特性的研究.光子学报,35(8),1133-1136.
MLA 姜其畅,et al."低温生长GaAs在Nd:YVO4激光器中调Q特性的研究".光子学报 35.8(2006):1133-1136.
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