Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
全硅片上光互连用波导 | |
代晓光; 牛萍娟; 张宇![]() | |
2006 | |
Source Publication | 激光与光电子学进展
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Volume | 43Issue:8Pages:27-31 |
Abstract | 较详细地分析了用于全硅片上光互连所用光波导(如多晶Si/SiO2、Si/SiO2、Si3N4/SiO2)需满足的基本条件、制作方法以及损耗机制,总结了目前的研究进展。 |
metadata_83 | 天津工业大学信息与通信工程学院;中国科学院半导体研究所;天津大学电子信息工程学院 |
Subject Area | 光电子学 |
Funding Organization | 国家自然科学基金项目,天津市应用基础研究重点项目 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:2479273 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16567 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 代晓光,牛萍娟,张宇,等. 全硅片上光互连用波导[J]. 激光与光电子学进展,2006,43(8):27-31. |
APA | 代晓光,牛萍娟,张宇,陈弘达,毛陆虹,&郭维廉.(2006).全硅片上光互连用波导.激光与光电子学进展,43(8),27-31. |
MLA | 代晓光,et al."全硅片上光互连用波导".激光与光电子学进展 43.8(2006):27-31. |
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