全硅片上光互连用波导

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	全硅片上光互连用波导
	代晓光; 牛萍娟; 张宇; 陈弘达; 毛陆虹; 郭维廉
	2006
Source Publication	激光与光电子学进展
Volume	43 Issue:8 Pages:27-31
Abstract	较详细地分析了用于全硅片上光互连所用光波导（如多晶Si／SiO2、Si／SiO2、Si3N4/SiO2）需满足的基本条件、制作方法以及损耗机制，总结了目前的研究进展。
metadata_83	天津工业大学信息与通信工程学院;中国科学院半导体研究所;天津大学电子信息工程学院
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家自然科学基金项目,天津市应用基础研究重点项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2479273
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16567
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	代晓光,牛萍娟,张宇,等. 全硅片上光互连用波导[J]. 激光与光电子学进展,2006,43(8):27-31.
APA	代晓光,牛萍娟,张宇,陈弘达,毛陆虹,&郭维廉.(2006).全硅片上光互连用波导.激光与光电子学进展,43(8),27-31.
MLA	代晓光,et al."全硅片上光互连用波导".激光与光电子学进展 43.8(2006):27-31.

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