SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
InP基HEMT器件中二维电子气浓度及分布与沟道层厚度关系的理论分析
李东临; 曾一平
2006
Source Publication物理学报
Volume55Issue:7Pages:3677-3682
Abstract利用数值计算的方法研究了InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)中沟道厚度对沟道中二维电子气(2DEG)性质的影响,并对产生这种影响的原因进行了深入探讨.计算结果表明,当沟道层厚度从10nm增加到40nm时,沟道中2DEG的密度几乎没有变化,但激发态和基态上的电子密度之比(R)先增加后减小.当沟道层厚度在20-25nm之间时,R达到最大.此结果可作为优化器件结构设计的依据.
metadata_83中国科学院半导体研究所材料中心
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2506538
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16553
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
李东临,曾一平. InP基HEMT器件中二维电子气浓度及分布与沟道层厚度关系的理论分析[J]. 物理学报,2006,55(7):3677-3682.
APA 李东临,&曾一平.(2006).InP基HEMT器件中二维电子气浓度及分布与沟道层厚度关系的理论分析.物理学报,55(7),3677-3682.
MLA 李东临,et al."InP基HEMT器件中二维电子气浓度及分布与沟道层厚度关系的理论分析".物理学报 55.7(2006):3677-3682.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
4224.pdf(455KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[李东临]'s Articles
[曾一平]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[李东临]'s Articles
[曾一平]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[李东临]'s Articles
[曾一平]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.