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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: InP基HEMT器件中二维电子气浓度及分布与沟道层厚度关系的理论分析
作者: 李东临;  曾一平
发表日期: 2006
摘要: 利用数值计算的方法研究了InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)中沟道厚度对沟道中二维电子气(2DEG)性质的影响,并对产生这种影响的原因进行了深入探讨.计算结果表明,当沟道层厚度从10nm增加到40nm时,沟道中2DEG的密度几乎没有变化,但激发态和基态上的电子密度之比(R)先增加后减小.当沟道层厚度在20-25nm之间时,R达到最大.此结果可作为优化器件结构设计的依据.
刊名: 物理学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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李东临;曾一平.InP基HEMT器件中二维电子气浓度及分布与沟道层厚度关系的理论分析,物理学报,2006,55(7):3677-3682
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