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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Si/SiGe量子级联激光器研究进展
作者: 韩根全;  林桂江;  余金中
发表日期: 2006
摘要: Si/SiGe量子级联激光器是一种新型的带内跃迁的红外光源,突破了Si基材料间接带隙特性对光跃迁的限制。Si/SiGe量子级联激光器的开发将为实现太赫兹有源器件的硅基集成产生深远影响。文章介绍了Si/SiGe量子级联激光器的工作原理,以及这类激光器在能带设计、材料生长和波导制作方面的最新进展。
刊名: 物理
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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韩根全;林桂江;余金中.Si/SiGe量子级联激光器研究进展,物理,2006,35(8):673-678
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