SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Si/SiGe量子级联激光器研究进展
韩根全; 林桂江; 余金中
2006
Source Publication物理
Volume35Issue:8Pages:673-678
AbstractSi/SiGe量子级联激光器是一种新型的带内跃迁的红外光源,突破了Si基材料间接带隙特性对光跃迁的限制。Si/SiGe量子级联激光器的开发将为实现太赫兹有源器件的硅基集成产生深远影响。文章介绍了Si/SiGe量子级联激光器的工作原理,以及这类激光器在能带设计、材料生长和波导制作方面的最新进展。
metadata_83中国科学院半导体研究所;厦门大学物理系
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2508945
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16545
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
韩根全,林桂江,余金中. Si/SiGe量子级联激光器研究进展[J]. 物理,2006,35(8):673-678.
APA 韩根全,林桂江,&余金中.(2006).Si/SiGe量子级联激光器研究进展.物理,35(8),673-678.
MLA 韩根全,et al."Si/SiGe量子级联激光器研究进展".物理 35.8(2006):673-678.
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