SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长
王保柱; 王晓亮; 王晓燕; 王新华; 郭伦春; 肖红领; 王军喜; 刘宏新; 曾一平; 李晋闽
2006
Source Publication半导体学报
Volume27Issue:8Pages:1382-1385
Abstract利用射频等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上外延了晶体质量较好的单晶InAlGaN薄膜.在生长InAlGaN外延层时,获得了外延膜的二维生长,卢瑟福背散射测量结果表明,InAlGaN外延层中In,Al和Ga的组分分别为2%,22%和76%,并且元素的深度分布比较均匀,InAlGaN(0002)三晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为4.8′,通过原子力显微镜观察外延膜表面存在小山丘状的突起和一些小坑,测量得到外延膜表面的均方根粗糙度为2.2nm.利用光电导谱测量InAlGaN的带隙为3.76eV.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization中国科学院知识创新工程,国家重点基础研究发展规划,国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2551361
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16531
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王保柱,王晓亮,王晓燕,等. 蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长[J]. 半导体学报,2006,27(8):1382-1385.
APA 王保柱.,王晓亮.,王晓燕.,王新华.,郭伦春.,...&李晋闽.(2006).蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长.半导体学报,27(8),1382-1385.
MLA 王保柱,et al."蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长".半导体学报 27.8(2006):1382-1385.
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