蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长
	王保柱; 王晓亮; 王晓燕; 王新华; 郭伦春; 肖红领; 王军喜; 刘宏新; 曾一平; 李晋闽
	2006
Source Publication	半导体学报
Volume	27 Issue:8 Pages:1382-1385
Abstract	利用射频等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上外延了晶体质量较好的单晶InAlGaN薄膜．在生长InAlGaN外延层时，获得了外延膜的二维生长，卢瑟福背散射测量结果表明，InAlGaN外延层中In，Al和Ga的组分分别为2％，22％和76％，并且元素的深度分布比较均匀，InAlGaN（0002）三晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为4．8′，通过原子力显微镜观察外延膜表面存在小山丘状的突起和一些小坑，测量得到外延膜表面的均方根粗糙度为2．2nm．利用光电导谱测量InAlGaN的带隙为3．76eV．
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	中国科学院知识创新工程,国家重点基础研究发展规划,国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金资助项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2551361
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16531
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	王保柱,王晓亮,王晓燕,等. 蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长[J]. 半导体学报,2006,27(8):1382-1385.
APA	王保柱.,王晓亮.,王晓燕.,王新华.,郭伦春.,...&李晋闽.(2006).蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长.半导体学报,27(8),1382-1385.
MLA	王保柱,et al."蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长".半导体学报 27.8(2006):1382-1385.

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