SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
实用化1730nm波段掩埋结构半导体激光器的研制
林涛; 郑凯; 王翠鸾; 王俊; 王勇刚; 仲莉; 冯小明; 马骁宇
2006
Source Publication半导体学报
Volume27Issue:8Pages:1467-1470
Abstract报道了应用于医疗器械的InP基1730nm波段半导体激光器.外延片采用低压金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长,有源区为5个周期的InGaAs量子阱层和InGaAsP垒层.器件采用pnpn结限制掩埋结构,有源区脊宽2μm、腔长300μm.室温下腔面镀膜后激光器管芯的阈值电流为18±5mA,8mW输出功率时的工作电流为60±5mA.采用TO封装后,100mA工作电流下激光器的输出功率大于5mW,输出波长为1732±10nm,高温恒流加速老化筛选实验表明,器件具有长期工作的可靠性,满足实用化要求。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体器件
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2551413
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16525
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
林涛,郑凯,王翠鸾,等. 实用化1730nm波段掩埋结构半导体激光器的研制[J]. 半导体学报,2006,27(8):1467-1470.
APA 林涛.,郑凯.,王翠鸾.,王俊.,王勇刚.,...&马骁宇.(2006).实用化1730nm波段掩埋结构半导体激光器的研制.半导体学报,27(8),1467-1470.
MLA 林涛,et al."实用化1730nm波段掩埋结构半导体激光器的研制".半导体学报 27.8(2006):1467-1470.
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