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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 实用化1730nm波段掩埋结构半导体激光器的研制
作者: 林涛;  郑凯;  王翠鸾;  王俊;  王勇刚;  仲莉;  冯小明;  马骁宇
发表日期: 2006
摘要: 报道了应用于医疗器械的InP基1730nm波段半导体激光器.外延片采用低压金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长,有源区为5个周期的InGaAs量子阱层和InGaAsP垒层.器件采用pnpn结限制掩埋结构,有源区脊宽2μm、腔长300μm.室温下腔面镀膜后激光器管芯的阈值电流为18±5mA,8mW输出功率时的工作电流为60±5mA.采用TO封装后,100mA工作电流下激光器的输出功率大于5mW,输出波长为1732±10nm,高温恒流加速老化筛选实验表明,器件具有长期工作的可靠性,满足实用化要求。
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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林涛;郑凯;王翠鸾;王俊;王勇刚;仲莉;冯小明;马骁宇.实用化1730nm波段掩埋结构半导体激光器的研制,半导体学报,2006,27(8):1467-1470
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