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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 升华法生长AlN体单晶初探
作者: 赵有文;  董志远;  魏学成;  段满龙;  李晋闽
发表日期: 2006
摘要: 研究了高温升华法(PVT)生长AlN体单晶的技术和材料的性质.使用陶瓷BN坩埚,加热温度约在1900℃左右,生长结果为AlN晶须或致密多晶,难以生长出较大的AlN晶粒.用钨坩埚加热生长温度达到2200℃左右时,在AlN陶瓷片和6H-SiC片上生长了直径22mm的AlN晶体,最大的晶粒尺寸长10mm、直径5mm.利用X射线粉末衍射分析了几种不同AlN样品的结构和组成.讨论了PVT法生长AlN晶体所涉及的化学热力学过程和现象.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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赵有文;董志远;魏学成;段满龙;李晋闽.升华法生长AlN体单晶初探,半导体学报,2006,27(7):1241-1245
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