SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
升华法生长AlN体单晶初探
赵有文; 董志远; 魏学成; 段满龙; 李晋闽
2006
Source Publication半导体学报
Volume27Issue:7Pages:1241-1245
Abstract研究了高温升华法(PVT)生长AlN体单晶的技术和材料的性质.使用陶瓷BN坩埚,加热温度约在1900℃左右,生长结果为AlN晶须或致密多晶,难以生长出较大的AlN晶粒.用钨坩埚加热生长温度达到2200℃左右时,在AlN陶瓷片和6H-SiC片上生长了直径22mm的AlN晶体,最大的晶粒尺寸长10mm、直径5mm.利用X射线粉末衍射分析了几种不同AlN样品的结构和组成.讨论了PVT法生长AlN晶体所涉及的化学热力学过程和现象.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2551445
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16517
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
赵有文,董志远,魏学成,等. 升华法生长AlN体单晶初探[J]. 半导体学报,2006,27(7):1241-1245.
APA 赵有文,董志远,魏学成,段满龙,&李晋闽.(2006).升华法生长AlN体单晶初探.半导体学报,27(7),1241-1245.
MLA 赵有文,et al."升华法生长AlN体单晶初探".半导体学报 27.7(2006):1241-1245.
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