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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: A Wide-Band Low Noise Amplifier for Terrestrial and Cable Receptions
作者: Ma Desheng;  Shi Yin;  Dai Fafoster
发表日期: 2006
摘要: We present the design of a wide-band low-noise amplifier (LNA) implemented in 0.35μm SiGe BiCMOS technology for cable and terrestrial tuner applications. The LNA utilizes current injection to achieve high linearity. Without using inductors, the LNA achieves 0.1 ~ 1GHz wide bandwidth and 18. 8dB gain with less than 1.4dB of gain variation. The noise figure of the wideband LNA is 5dB, and its 1dB compression point is - 2dBm and IIP3 is 8dBm. The LNA dissipates 120mW of power with a 5V supply.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Ma Desheng;Shi Yin;Dai Fafoster.A Wide-Band Low Noise Amplifier for Terrestrial and Cable Receptions,半导体学报,2006,27(6):970-975
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