SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射
张冠杰; 徐波; 陈涌海; 姚江宏; 林耀望; 舒永春; 皮彪; 邢晓东; 刘如彬; 舒强; 王占国; 许京军
2006
Source Publication半导体学报
Volume27Issue:6Pages:1012-1015
Abstract利用喇曼散射方法在77K温度下对不同淀积厚度的InAs/GaAs量子点材料进行了研究.在高于InAs体材料LO模的频率范围内观察到了量子点的喇曼特征峰,分析表明应变效应是影响QD声子频率的主要因素.实验显示,随着量子点层淀积厚度L的增加,InAs量子点的声子频率由于应变释放发生红移.在加入InAlAs应变缓冲层的样品中,类AlAs声子峰随L增大发生了蓝移,从侧面证实了InAs量子点层的应变释放过程.
metadata_83南开大学;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金,天津市应用基础研究资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2551498
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16509
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张冠杰,徐波,陈涌海,等. 不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射[J]. 半导体学报,2006,27(6):1012-1015.
APA 张冠杰.,徐波.,陈涌海.,姚江宏.,林耀望.,...&许京军.(2006).不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射.半导体学报,27(6),1012-1015.
MLA 张冠杰,et al."不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射".半导体学报 27.6(2006):1012-1015.
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