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| 不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射 | |
张冠杰; 徐波 ; 陈涌海; 姚江宏; 林耀望; 舒永春; 皮彪; 邢晓东; 刘如彬; 舒强; 王占国; 许京军
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| 2006 | |
| Source Publication | 半导体学报
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| Volume | 27Issue:6Pages:1012-1015 |
| Abstract | 利用喇曼散射方法在77K温度下对不同淀积厚度的InAs/GaAs量子点材料进行了研究.在高于InAs体材料LO模的频率范围内观察到了量子点的喇曼特征峰,分析表明应变效应是影响QD声子频率的主要因素.实验显示,随着量子点层淀积厚度L的增加,InAs量子点的声子频率由于应变释放发生红移.在加入InAlAs应变缓冲层的样品中,类AlAs声子峰随L增大发生了蓝移,从侧面证实了InAs量子点层的应变释放过程. |
| metadata_83 | 南开大学;中国科学院半导体研究所 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金,天津市应用基础研究资助项目 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:2551498 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16509 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 张冠杰,徐波,陈涌海,等. 不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射[J]. 半导体学报,2006,27(6):1012-1015. |
| APA | 张冠杰.,徐波.,陈涌海.,姚江宏.,林耀望.,...&许京军.(2006).不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射.半导体学报,27(6),1012-1015. |
| MLA | 张冠杰,et al."不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射".半导体学报 27.6(2006):1012-1015. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 4185.pdf（354KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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