不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射

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题名:	不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射
作者:	张冠杰; 徐波; 陈涌海; 姚江宏; 林耀望; 舒永春; 皮彪; 邢晓东; 刘如彬; 舒强; 王占国; 许京军
发表日期:	2006
摘要:	利用喇曼散射方法在77K温度下对不同淀积厚度的InAs/GaAs量子点材料进行了研究.在高于InAs体材料LO模的频率范围内观察到了量子点的喇曼特征峰,分析表明应变效应是影响QD声子频率的主要因素.实验显示,随着量子点层淀积厚度L的增加,InAs量子点的声子频率由于应变释放发生红移.在加入InAlAs应变缓冲层的样品中,类AlAs声子峰随L增大发生了蓝移,从侧面证实了InAs量子点层的应变释放过程.
刊名:	半导体学报
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

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张冠杰;徐波;陈涌海;姚江宏;林耀望;舒永春;皮彪;邢晓东;刘如彬;舒强;王占国;许京军.不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射,半导体学报,2006,27(6):1012-1015

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