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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 高量子效率前照式GaN基p-i-n结构紫外探测器
作者: 游达;  汤英文;  赵德刚;  许金通;  徐运华;  龚海梅
发表日期: 2006
摘要: 研究了Al0.1-Ga0.9N/GaN异质结p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能,P区采用Al组分含量为0.1的AlGaN外延材料形成窗口层,使340-365nm波段的紫外光可以直接透过P区到达i区并被吸收,有效提高了这个波段的响应率与量子效率,并且研究了不同P区AlGaN外延层厚度对探测器性能的影响,制备了两种不同P区厚度(0.1μm和0.15μm)的器件,测试结果表明,P区的厚度对200-340nm波段光吸收的量子效率影响较大,而i区的晶体质量的提高可以有效提高340-365nm波段光吸收的量子效率,并且当P区AlGaN厚度为0.15μm时,器件的峰值响应率达到0.214A/W,在考虑表面反射时外量子效率高达85.6%,接近理论极限,并且在零偏压时暗电流密度为3.16nA/cm^2,表明器件具有非常高的信噪比。
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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游达;汤英文;赵德刚;许金通;徐运华;龚海梅.高量子效率前照式GaN基p-i-n结构紫外探测器,半导体学报,2006,27(5):896-899
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