SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
高量子效率前照式GaN基p-i-n结构紫外探测器
游达; 汤英文; 赵德刚; 许金通; 徐运华; 龚海梅
2006
Source Publication半导体学报
Volume27Issue:5Pages:896-899
Abstract研究了Al0.1-Ga0.9N/GaN异质结p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能,P区采用Al组分含量为0.1的AlGaN外延材料形成窗口层,使340-365nm波段的紫外光可以直接透过P区到达i区并被吸收,有效提高了这个波段的响应率与量子效率,并且研究了不同P区AlGaN外延层厚度对探测器性能的影响,制备了两种不同P区厚度(0.1μm和0.15μm)的器件,测试结果表明,P区的厚度对200-340nm波段光吸收的量子效率影响较大,而i区的晶体质量的提高可以有效提高340-365nm波段光吸收的量子效率,并且当P区AlGaN厚度为0.15μm时,器件的峰值响应率达到0.214A/W,在考虑表面反射时外量子效率高达85.6%,接近理论极限,并且在零偏压时暗电流密度为3.16nA/cm^2,表明器件具有非常高的信噪比。
metadata_83中国科学院上海技术物理所;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2551608
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16501
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
游达,汤英文,赵德刚,等. 高量子效率前照式GaN基p-i-n结构紫外探测器[J]. 半导体学报,2006,27(5):896-899.
APA 游达,汤英文,赵德刚,许金通,徐运华,&龚海梅.(2006).高量子效率前照式GaN基p-i-n结构紫外探测器.半导体学报,27(5),896-899.
MLA 游达,et al."高量子效率前照式GaN基p-i-n结构紫外探测器".半导体学报 27.5(2006):896-899.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
4181.pdf(296KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[游达]'s Articles
[汤英文]'s Articles
[赵德刚]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[游达]'s Articles
[汤英文]'s Articles
[赵德刚]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[游达]'s Articles
[汤英文]'s Articles
[赵德刚]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.