SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
利用光子晶体提高InP基LED出光效率
杜伟; 许兴胜; 孙增辉; 鲁琳; 高俊华; 赵致民; 王春霞; 陈弘达
2006
Source Publication半导体学报
Volume27Issue:5Pages:921-925
Abstract应用FDTD方法计算了二维无限大光子晶体的能带结构,并制备出了InP基二维平板结构的光子晶体器件.在制备过程中尝试了仅用PMMA做掩模以及PMMA和SiO2做掩模两种方法,结果表明,不使用SiO2做掩模的情况下,由于PMMA胶选择性较差,在刻蚀过程中难以保证图形的准确转移.而增加SiO2掩模后,获得了图形质量良好的光子晶体结构,成功实现了利用光子晶体结构增强LED的出光效率,与未制作光子晶体结构的LED相比,光子晶体结构LED的出光效率可在原来基础上提高1倍以上.并且随着晶格常数的增加,出光效率进一步提高。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2551615
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:3[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16499
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
杜伟,许兴胜,孙增辉,等. 利用光子晶体提高InP基LED出光效率[J]. 半导体学报,2006,27(5):921-925.
APA 杜伟.,许兴胜.,孙增辉.,鲁琳.,高俊华.,...&陈弘达.(2006).利用光子晶体提高InP基LED出光效率.半导体学报,27(5),921-925.
MLA 杜伟,et al."利用光子晶体提高InP基LED出光效率".半导体学报 27.5(2006):921-925.
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