SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
制备几种典型复合纳米线的相关实验及其分析
吴燕; 朱贤方; 王占国
2006
Source Publication材料导报
Volume20Issue:11Pages:122-125
Abstract近年来,复合纳米线的制备成为低维纳米结构研究的一个热点。综述了几种典型复合纳米线的生长方法,分析了它们的生长机制,以及影响它们生长的各种因素。希望通过这几个制备复合纳米线的实验的分析与研究能对相关实验研究工作提供一些参考。
metadata_83厦门大学物理系低维纳米结构实验室;中科院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金专项研究课题,国家自然科学基金,教育部科学技术研究重点项目,厦门大学启动经费,福建省科技计划项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2614872
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16489
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
吴燕,朱贤方,王占国. 制备几种典型复合纳米线的相关实验及其分析[J]. 材料导报,2006,20(11):122-125.
APA 吴燕,朱贤方,&王占国.(2006).制备几种典型复合纳米线的相关实验及其分析.材料导报,20(11),122-125.
MLA 吴燕,et al."制备几种典型复合纳米线的相关实验及其分析".材料导报 20.11(2006):122-125.
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