SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
半绝缘InP的铁掺杂激活与电学补偿
苗杉杉; 赵有文; 董志远; 邓爱红; 杨俊; 王博
2006
Source Publication半导体学报
Volume27Issue:11Pages:1934-1939
Abstract比较了掺Fe和非掺退火半绝缘(SI)InP材料中Fe杂质的分布,掺杂激活机理以及Fe原子与点缺陷的相互作用.原生掺Fe SI-InP中Fe的替位激活主要通过填隙-跳跃机制,但Fe原子易在位错周围聚集,与空位形成复合体缺陷,占据填隙位等,从而降低Fe的激活效率.在FeP2气氛下退火非掺InP获得的SI-InP材料中,Fe原子的激活主要通过扩散过程的"踢出-替位"机制.退火前材料中存在的In空位使Fe原子通过扩散充分占据In位,同时抑制了材料中深能级缺陷的形成.因此,这种SI-InP材料的Fe激活效率高、电学性能好.
metadata_83四川大学物理学院应用物理系;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2615824
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16481
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
苗杉杉,赵有文,董志远,等. 半绝缘InP的铁掺杂激活与电学补偿[J]. 半导体学报,2006,27(11):1934-1939.
APA 苗杉杉,赵有文,董志远,邓爱红,杨俊,&王博.(2006).半绝缘InP的铁掺杂激活与电学补偿.半导体学报,27(11),1934-1939.
MLA 苗杉杉,et al."半绝缘InP的铁掺杂激活与电学补偿".半导体学报 27.11(2006):1934-1939.
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