SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
衬底结构特征对硅基螺旋电感性能的影响
薛春来; 姚飞; 成步文; 王启明
2006
Source Publication半导体学报
Volume27Issue:11Pages:1955-1960
Abstract使用三维电磁场模拟的方法对不同硅衬底结构螺旋电感进行了模拟和分析.通过改变衬底的电导率、隔离层的厚度以及隔离层的材料、衬底引入硅锗合金层等模拟,分析了电感性能的变化.结果表明随着电导率的减小,电感的性能会增强,但改善的幅度会逐渐减小.厚的SiO2隔离层有利于减小衬底损耗,但是会给工艺增加难度.采用低k材料作为隔离层是改善电感性能的一种比较理想的方法.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展规划,国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2615836
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16479
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
薛春来,姚飞,成步文,等. 衬底结构特征对硅基螺旋电感性能的影响[J]. 半导体学报,2006,27(11):1955-1960.
APA 薛春来,姚飞,成步文,&王启明.(2006).衬底结构特征对硅基螺旋电感性能的影响.半导体学报,27(11),1955-1960.
MLA 薛春来,et al."衬底结构特征对硅基螺旋电感性能的影响".半导体学报 27.11(2006):1955-1960.
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