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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制
作者: 罗卫军;  陈晓娟;  李成瞻;  刘新宇;  和致经;  魏珂;  梁晓新;  王晓亮
发表日期: 2006
摘要: 在6H-SiC衬底上,外延生长了AlGaN/GaN HEMT结构,设计并实现了高性能1mm AlGaN/GaN微波功率HEMT,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术生长.测试表明,该1mm栅宽器件栅长为0.8μm,输出电流密度达到1.16A/mm,跨导为241mS/mm,击穿电压>80V,特征频率达到20GHz,最大振荡频率为28GHz.5.4GHz连续波测试下功率增益为14.2dB,输出功率达4.1W,脉冲条件测试下功率增益为14.4dB,输出功率为5.2W,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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罗卫军;陈晓娟;李成瞻;刘新宇;和致经;魏珂;梁晓新;王晓亮.高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制,半导体学报,2006,27(11):1981-1983
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