数值分析渐变DBR对垂直腔面发射激光器谐振腔模的影响

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	数值分析渐变DBR对垂直腔面发射激光器谐振腔模的影响
	王小东; 吴旭明; 王青; 曹玉莲; 何国荣; 谭满清
	2006
Source Publication	半导体学报
Volume	27 Issue:11 Pages:2011-2014
Abstract	通过数值分析研究了含线性渐变层的Al_(0.9)Ga_(0.1)As/Al_yGa_(1-y)As/GaAs/Al_xGa_(1-x)As DBR的光学特性及其对VCSEL谐振腔光学特性的影响,建立了渐变型DBR渐变层厚度与折射率的关系,通过特征矩阵法计算了突变GaAs/Al_(0.9)Ga_(0.1)As DBR和渐变型DBR的反射谱和反射相移,分析了渐变层对DBR反射率和反射相移的影响.对渐变型DBR,要使VCSEL谐振腔满足中心波长相位匹配条件,还需要在DBR靠近谐振腔一侧的最前面增加一定厚度的渐变层,称为相位匹配层.通过计算,我们得到了使VCSEL谐振腔满足相位匹配条件时均匀层和相位匹配层的厚度.
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	半导体器件
Funding Organization	国家高技术研究发展计划资助项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2615885
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16475
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	王小东,吴旭明,王青,等. 数值分析渐变DBR对垂直腔面发射激光器谐振腔模的影响[J]. 半导体学报,2006,27(11):2011-2014.
APA	王小东,吴旭明,王青,曹玉莲,何国荣,&谭满清.(2006).数值分析渐变DBR对垂直腔面发射激光器谐振腔模的影响.半导体学报,27(11),2011-2014.
MLA	王小东,et al."数值分析渐变DBR对垂直腔面发射激光器谐振腔模的影响".半导体学报 27.11(2006):2011-2014.

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