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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Room temperature continuous wave operation of 1.33-micron InAs/GaAs quantum dot laser with high output power
作者: Qin Han;  Zhichuan Niu;  Haiqiao Ni;  Shiyong Zhang;  Xiaohong Yang;  Yun Du;  Cunzhu Tong;  Huan Zhao;  Yingqiang Xu;  Hongling Peng;  Ronghan Wu
发表日期: 2006
摘要: Continuous wave operation of a semiconductor laser diode based on five stacks of InAs quantum dots (QDs) embedded within strained InGaAs quantum wells as an active region is demonstrated. At room temperature, 355-mW output power at ground state of 1.33-1.35 microns for a 20-micron ridge-waveguide laser without facet coating is achieved. By optimizing the molecular beam epitaxy (MBE) growth conditions, the QD density per layer is raised to 4*10^(10) cm^(-2). The laser keeps lasing at ground state until the temperature reaches 65 Celsius degree.
刊名: Chinese Optics Letters
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Qin Han;Zhichuan Niu;Haiqiao Ni;Shiyong Zhang;Xiaohong Yang;Yun Du;Cunzhu Tong;Huan Zhao;Yingqiang Xu;Hongling Peng;Ronghan Wu.Room temperature continuous wave operation of 1.33-micron InAs/GaAs quantum dot laser with high output power,Chinese Optics Letters,2006,4(7):413-415
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