SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaAs基上的InAs量子环制备
李凯; 叶小玲; 金鹏; 王占国
2006
Source Publication固体电子学研究与进展
Volume26Issue:4Pages:432-435
Abstract在分子束外延系统中,利用3 nm GaAs薄盖层将InAs自组装量子点部分覆盖,然后在500℃以及As_2气氛中退火一分钟,制成纳米尺度的InAs量子环.这一形成敏感地依赖于退火时的生长条件和生长InAs自组装量子点时的淀积量.InAs在GaAs表面的扩散以及同时发生的In-Ga互混控制着InAs量子环的形成.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究专项经费,国家自然科学基金,国家高技术研究与发展项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2623179
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16463
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李凯,叶小玲,金鹏,等. GaAs基上的InAs量子环制备[J]. 固体电子学研究与进展,2006,26(4):432-435.
APA 李凯,叶小玲,金鹏,&王占国.(2006).GaAs基上的InAs量子环制备.固体电子学研究与进展,26(4),432-435.
MLA 李凯,et al."GaAs基上的InAs量子环制备".固体电子学研究与进展 26.4(2006):432-435.
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