SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
闪耀光栅外腔反馈压窄半导体激光器线宽技术的研究
江鹏飞; 周燕; 谢福增
2006
Source Publication光学技术
Volume32Issue:6Pages:869-870
Abstract在讨论半导体激光线宽压窄理论的基础上,利用闪耀光栅作为外部反馈元件,介绍了由中心波长为949.6nm、原始线宽为1.2THz的单管半导体激光器构成的反馈外腔,它能够很好的改善半导体激光器的性能.实验得到了中心波长稳定的、单纵模的高质量激光输出,边模抑制比大于30dB,线宽优于1.2MHz (Δλ<3.6×10~(-6)nm).实验证实了强反馈能够很好地改善外腔半导体激光器的动态特性.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2626383
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16459
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
江鹏飞,周燕,谢福增. 闪耀光栅外腔反馈压窄半导体激光器线宽技术的研究[J]. 光学技术,2006,32(6):869-870.
APA 江鹏飞,周燕,&谢福增.(2006).闪耀光栅外腔反馈压窄半导体激光器线宽技术的研究.光学技术,32(6),869-870.
MLA 江鹏飞,et al."闪耀光栅外腔反馈压窄半导体激光器线宽技术的研究".光学技术 32.6(2006):869-870.
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