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| 射频磁控溅射制备掺Al的纳米Si-SiO_2复合薄膜及其光致发光特性 | |
| 郭亨群; 杨琳琳; 王启明 | |
| 2006 | |
| Source Publication | 功能材料
 |
| Volume | 37Issue:11Pages:1706-1708 |
| Abstract | 采用射频磁控技术和退火处理制备掺Al的纳米Si-SiO_2复合薄膜.通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)表征了薄膜的结构,组分和成键情况.掺Al在SiO_2中造成氧空位,使薄膜光致发光强度增强,并出现新的发光峰.退火温度对掺Al薄膜的光致发光的峰位和峰强有较大影响. |
| metadata_83 | 华侨大学,信息科学与工程学院;中国科学院半导体研究所 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金重点资助项目 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:2629349 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16453 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 郭亨群,杨琳琳,王启明. 射频磁控溅射制备掺Al的纳米Si-SiO_2复合薄膜及其光致发光特性[J]. 功能材料,2006,37(11):1706-1708. |
| APA | 郭亨群,杨琳琳,&王启明.(2006).射频磁控溅射制备掺Al的纳米Si-SiO_2复合薄膜及其光致发光特性.功能材料,37(11),1706-1708. |
| MLA | 郭亨群,et al."射频磁控溅射制备掺Al的纳米Si-SiO_2复合薄膜及其光致发光特性".功能材料 37.11(2006):1706-1708. |
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| 4149.pdf（190KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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