射频磁控溅射制备掺Al的纳米Si-SiO_2复合薄膜及其光致发光特性

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题名:	射频磁控溅射制备掺Al的纳米Si-SiO_2复合薄膜及其光致发光特性
作者:	郭亨群; 杨琳琳; 王启明
发表日期:	2006
摘要:	采用射频磁控技术和退火处理制备掺Al的纳米Si-SiO_2复合薄膜.通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)表征了薄膜的结构,组分和成键情况.掺Al在SiO_2中造成氧空位,使薄膜光致发光强度增强,并出现新的发光峰.退火温度对掺Al薄膜的光致发光的峰位和峰强有较大影响.
刊名:	功能材料
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

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郭亨群;杨琳琳;王启明.射频磁控溅射制备掺Al的纳米Si-SiO_2复合薄膜及其光致发光特性,功能材料,2006,37(11):1706-1708

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