高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 1550nm偏振不灵敏半导体光放大器的研制
作者: 黄永箴;  胡永红;  于丽娟;  陈沁;  谭满清;  马骁宇
发表日期: 2006
摘要: 研制了有源区为InGaAs张应变体材料的1.55μm偏振不灵敏半导体光放大器(SOA)。采用束传播法计算了偏离镜面垂直方向7°的埋层波导结构模式场分布,并用平面波展开法设计了多层抗反射膜,在TE模和TM模反射率同时小于10^-4时膜厚允许误差为3%。对放大自发发射谱(ASE)和增益谱的分析表明,他们具有基本一致的偏振灵敏度。对一腔长800μm的SOA在注入电流250mA时,测量得出TE模和TM模的ASE谱偏振灵敏度小于0.5dB,增益谱3dB带宽为63nm,1550nm处光纤到光纤增益为11.9dB,3dB饱和输出功率为5.6dB,在1570nm处的噪声指数为7.8dB。而一腔长1000μmSOA耦合封装后得到的最大增益为15dB。
刊名: 光电子·激光
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
4147.pdf214KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
黄永箴;胡永红;于丽娟;陈沁;谭满清;马骁宇.1550nm偏振不灵敏半导体光放大器的研制,光电子·激光,2006,17(10):1157-1160
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [黄永箴]的文章
 [胡永红]的文章
 [于丽娟]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [黄永箴]的文章
 [胡永红]的文章
 [于丽娟]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发