SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
1550nm偏振不灵敏半导体光放大器的研制
黄永箴; 胡永红; 于丽娟; 陈沁; 谭满清; 马骁宇
2006
Source Publication光电子·激光
Volume17Issue:10Pages:1157-1160
Abstract研制了有源区为InGaAs张应变体材料的1.55μm偏振不灵敏半导体光放大器(SOA)。采用束传播法计算了偏离镜面垂直方向7°的埋层波导结构模式场分布,并用平面波展开法设计了多层抗反射膜,在TE模和TM模反射率同时小于10^-4时膜厚允许误差为3%。对放大自发发射谱(ASE)和增益谱的分析表明,他们具有基本一致的偏振灵敏度。对一腔长800μm的SOA在注入电流250mA时,测量得出TE模和TM模的ASE谱偏振灵敏度小于0.5dB,增益谱3dB带宽为63nm,1550nm处光纤到光纤增益为11.9dB,3dB饱和输出功率为5.6dB,在1570nm处的噪声指数为7.8dB。而一腔长1000μmSOA耦合封装后得到的最大增益为15dB。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体器件
Funding Organization国家“863”计划资助项目,国家重点基础研究发展规划资助项目,国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2630966
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16449
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
黄永箴,胡永红,于丽娟,等. 1550nm偏振不灵敏半导体光放大器的研制[J]. 光电子·激光,2006,17(10):1157-1160.
APA 黄永箴,胡永红,于丽娟,陈沁,谭满清,&马骁宇.(2006).1550nm偏振不灵敏半导体光放大器的研制.光电子·激光,17(10),1157-1160.
MLA 黄永箴,et al."1550nm偏振不灵敏半导体光放大器的研制".光电子·激光 17.10(2006):1157-1160.
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