SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器模拟与测试
雷晓荃; 毛陆虹; 陈弘达; 黄家乐
2006
Source Publication光电子·激光
Volume17Issue:12Pages:1413-1417
Abstract设计了一种新型的与MS/RF CMOS工艺全兼容、带深n阱(DNW)、浅沟槽隔离(STI)的双光电探测器,分析了其工作机理,用器件模拟软件ATLAS对其暗电流、响应电流、光调制频率响应和波长响应进行了模拟.采用TSMC 0.18 μm MS/RF CMOS工艺进行了流片,对芯片进行了暗电流和响应度的测试.模拟和测试结果均表明,该探测器与常规双光电探测器相比,具有较低的暗电流和较高的响应度.
metadata_83天津大学电子信息工程学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家"863"计划资助项目,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2633059
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16443
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
雷晓荃,毛陆虹,陈弘达,等. MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器模拟与测试[J]. 光电子·激光,2006,17(12):1413-1417.
APA 雷晓荃,毛陆虹,陈弘达,&黄家乐.(2006).MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器模拟与测试.光电子·激光,17(12),1413-1417.
MLA 雷晓荃,et al."MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器模拟与测试".光电子·激光 17.12(2006):1413-1417.
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