SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
PLD方法制备ZnO薄膜的特征温度研究
王兆阳; 胡礼中; 赵杰; 孙捷; 王志俊
2006
Source Publication哈尔滨工业大学学报
Volume38Issue:10Pages:1766-1768
Abstract用PLD方法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜.在薄膜的沉积过程中,用安装在激光脉冲沉积设备上的反射高能电子衍射仪(RHEED)对薄膜的生长进行了原位监测.结合薄膜的X射线衍射(XRD)分析和荧光光谱(PL)分析,发现达到或者超过650C时生长的薄膜,结构和光学特性得到了显著的改善.
metadata_83大连理工大学;中国科学院,半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金资助项目,辽宁省科学技术基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2633611
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16437
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王兆阳,胡礼中,赵杰,等. PLD方法制备ZnO薄膜的特征温度研究[J]. 哈尔滨工业大学学报,2006,38(10):1766-1768.
APA 王兆阳,胡礼中,赵杰,孙捷,&王志俊.(2006).PLD方法制备ZnO薄膜的特征温度研究.哈尔滨工业大学学报,38(10),1766-1768.
MLA 王兆阳,et al."PLD方法制备ZnO薄膜的特征温度研究".哈尔滨工业大学学报 38.10(2006):1766-1768.
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