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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: PLD方法制备ZnO薄膜的特征温度研究
作者: 王兆阳;  胡礼中;  赵杰;  孙捷;  王志俊
发表日期: 2006
摘要: 用PLD方法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜.在薄膜的沉积过程中,用安装在激光脉冲沉积设备上的反射高能电子衍射仪(RHEED)对薄膜的生长进行了原位监测.结合薄膜的X射线衍射(XRD)分析和荧光光谱(PL)分析,发现达到或者超过650C时生长的薄膜,结构和光学特性得到了显著的改善.
刊名: 哈尔滨工业大学学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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王兆阳;胡礼中;赵杰;孙捷;王志俊.PLD方法制备ZnO薄膜的特征温度研究,哈尔滨工业大学学报,2006,38(10):1766-1768
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