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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: SOI光波导高速电光调制器的研究进展
作者: 黄庆忠;  余金中
发表日期: 2006
摘要: 介绍了不同截面大小的SOI(silicon-on-insulator)波导单模条件,详细描述了几种降低传输损耗,消除偏振相关,提高耦合效率的技术手段.分析比较了一种带有MOS(metal-oxide-semiconductor)电容结构和一种具有微环结构的高速电光调制器,其调制频率分别达到10和1.5GHz.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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黄庆忠;余金中.SOI光波导高速电光调制器的研究进展,半导体学报,2006,27(12):2069-2074
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