SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
SOI光波导高速电光调制器的研究进展
黄庆忠; 余金中
2006
Source Publication半导体学报
Volume27Issue:12Pages:2069-2074
Abstract介绍了不同截面大小的SOI(silicon-on-insulator)波导单模条件,详细描述了几种降低传输损耗,消除偏振相关,提高耦合效率的技术手段.分析比较了一种带有MOS(metal-oxide-semiconductor)电容结构和一种具有微环结构的高速电光调制器,其调制频率分别达到10和1.5GHz.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家重点基础研究发展计划,国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2634951
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16435
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
黄庆忠,余金中. SOI光波导高速电光调制器的研究进展[J]. 半导体学报,2006,27(12):2069-2074.
APA 黄庆忠,&余金中.(2006).SOI光波导高速电光调制器的研究进展.半导体学报,27(12),2069-2074.
MLA 黄庆忠,et al."SOI光波导高速电光调制器的研究进展".半导体学报 27.12(2006):2069-2074.
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