SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
InGaAsP/InGaP/AlGaAs大光学腔量子阱激光器的优化
曹玉莲; 李慧; 何国荣; 王小东; 王青; 吴旭明; 宋国峰; 陈良惠
2006
Source Publication半导体学报
Volume27Issue:12Pages:2173-2177
Abstract本文对808nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料的大光学腔结构激光器进行了理论优化.为确保激光器是单横模激射,我们使用传递矩阵的方法,分别计算了限制层和欧姆接触层厚度对TE2和TE0模式损耗的影响,对上下限制层和欧姆接触层的厚度进行了优化,其优化后的厚度分别为0.8,0.6和0.11μm.高折射率的欧姆接触层被低折射率的限制层和金属层包围形成了无源的次级波导,泄漏波在次级波导中形成了寄生模式.欧姆接触层厚度对模式损耗的影响是周期性的,当欧姆接触层厚度为该模式的λ1/4时发生第一次共振,发生共振的间隔为其垂直注入的泄漏波波长λ1的一半.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2635013
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16425
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
曹玉莲,李慧,何国荣,等. InGaAsP/InGaP/AlGaAs大光学腔量子阱激光器的优化[J]. 半导体学报,2006,27(12):2173-2177.
APA 曹玉莲.,李慧.,何国荣.,王小东.,王青.,...&陈良惠.(2006).InGaAsP/InGaP/AlGaAs大光学腔量子阱激光器的优化.半导体学报,27(12),2173-2177.
MLA 曹玉莲,et al."InGaAsP/InGaP/AlGaAs大光学腔量子阱激光器的优化".半导体学报 27.12(2006):2173-2177.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
4133.pdf(214KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[曹玉莲]'s Articles
[李慧]'s Articles
[何国荣]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[曹玉莲]'s Articles
[李慧]'s Articles
[何国荣]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[曹玉莲]'s Articles
[李慧]'s Articles
[何国荣]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.