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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: InGaAsP/InGaP/AlGaAs大光学腔量子阱激光器的优化
作者: 曹玉莲;  李慧;  何国荣;  王小东;  王青;  吴旭明;  宋国峰;  陈良惠
发表日期: 2006
摘要: 本文对808nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料的大光学腔结构激光器进行了理论优化.为确保激光器是单横模激射,我们使用传递矩阵的方法,分别计算了限制层和欧姆接触层厚度对TE2和TE0模式损耗的影响,对上下限制层和欧姆接触层的厚度进行了优化,其优化后的厚度分别为0.8,0.6和0.11μm.高折射率的欧姆接触层被低折射率的限制层和金属层包围形成了无源的次级波导,泄漏波在次级波导中形成了寄生模式.欧姆接触层厚度对模式损耗的影响是周期性的,当欧姆接触层厚度为该模式的λ1/4时发生第一次共振,发生共振的间隔为其垂直注入的泄漏波波长λ1的一半.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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曹玉莲;李慧;何国荣;王小东;王青;吴旭明;宋国峰;陈良惠.InGaAsP/InGaP/AlGaAs大光学腔量子阱激光器的优化,半导体学报,2006,27(12):2173-2177
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