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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能
作者: 陈亮;  游达;  汤英文;  乔辉;  陈俊;  赵德刚;  张燕;  李向阳;  龚海梅
发表日期: 2006
摘要: 文章研究了p-GaN/i—GaN/n-Al0.3Ga0.7N异质结背照式p-i—n可见盲紫外探测器的制备与性能。器件的响应区域为310~365nm,最大响应率为0.046A/W,对应的内量子效率为19%,优值因子R0A达到1.77×10^8Ω·cm^2,相应的在363nm处的探测率D^*=2.6×10^12cmHz^1/2W^-1。
刊名: 激光与红外
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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陈亮;游达;汤英文;乔辉;陈俊;赵德刚;张燕;李向阳;龚海梅.背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能,激光与红外,2006,36(11):1036-1039
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