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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 两种结构GaN基太阳盲紫外探测器
作者: 李雪;  陈俊;  何政;  赵德刚;  龚海梅;  方家熊
发表日期: 2006
摘要: 分别在金属有机化学汽相沉积(MOCVD)生长的i-Al0.33Ga0.67N/AlN/n-GaN和p-Al0.45Ga0.55N/i—Al0.45Ga0.55N/n+-Al0.65Ga0.35N的异质结构上,成功研制了太阳盲区的肖特基型和PIN型紫外探测器。研究结果表明,Au与i—Al0.33Ga0.67N形成了较好的肖特基结,响应波长从250—290nm,峰值(286nm)响应率约为0.08A/W;PIN型紫外探测器的响应波长从230~275nm,峰值(246nm)响应率约为0.02A/W。
刊名: 激光与红外
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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李雪;陈俊;何政;赵德刚;龚海梅;方家熊.两种结构GaN基太阳盲紫外探测器,激光与红外,2006,36(11):1040-1042
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