SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
两种结构GaN基太阳盲紫外探测器
李雪; 陈俊; 何政; 赵德刚; 龚海梅; 方家熊
2006
Source Publication激光与红外
Volume36Issue:11Pages:1040-1042
Abstract分别在金属有机化学汽相沉积(MOCVD)生长的i-Al0.33Ga0.67N/AlN/n-GaN和p-Al0.45Ga0.55N/i—Al0.45Ga0.55N/n+-Al0.65Ga0.35N的异质结构上,成功研制了太阳盲区的肖特基型和PIN型紫外探测器。研究结果表明,Au与i—Al0.33Ga0.67N形成了较好的肖特基结,响应波长从250—290nm,峰值(286nm)响应率约为0.08A/W;PIN型紫外探测器的响应波长从230~275nm,峰值(246nm)响应率约为0.02A/W。
metadata_83中国科学院上海技术物理研究所;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2665774
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16407
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李雪,陈俊,何政,等. 两种结构GaN基太阳盲紫外探测器[J]. 激光与红外,2006,36(11):1040-1042.
APA 李雪,陈俊,何政,赵德刚,龚海梅,&方家熊.(2006).两种结构GaN基太阳盲紫外探测器.激光与红外,36(11),1040-1042.
MLA 李雪,et al."两种结构GaN基太阳盲紫外探测器".激光与红外 36.11(2006):1040-1042.
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