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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: InP中深能级缺陷的产生与抑制现象
作者: 赵有文;  董志远
发表日期: 2007
摘要: 研究了原生和高温退火处理后非掺n型和半绝缘InP单晶材料中产生的缺陷.在磷气氛下退火后,n型和半绝缘InP单晶中均明显产生相当数量的深能级缺陷,而在磷化铁气氛下退火后,InP的缺陷数量明显减少.在退火过程中缺陷的产生与磷和铁的内扩散有直接关系.向内扩散的磷原子和铁原子占据晶格中铟位后,分别产生反位缺陷和铁深受主.实验结果表明,铁通过扩散充分占据了铟位,抑制了铟空位、磷反位等缺陷的形成,而磷气氛下退火后产生的缺陷有铟空位、磷反位等.对InP中的缺陷属性进行了分析.
刊名: 物理学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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赵有文;董志远.InP中深能级缺陷的产生与抑制现象,物理学报,2007,56(3):1476-1479
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