SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
InP中深能级缺陷的产生与抑制现象
赵有文; 董志远
2007
Source Publication物理学报
Volume56Issue:3Pages:1476-1479
Abstract研究了原生和高温退火处理后非掺n型和半绝缘InP单晶材料中产生的缺陷.在磷气氛下退火后,n型和半绝缘InP单晶中均明显产生相当数量的深能级缺陷,而在磷化铁气氛下退火后,InP的缺陷数量明显减少.在退火过程中缺陷的产生与磷和铁的内扩散有直接关系.向内扩散的磷原子和铁原子占据晶格中铟位后,分别产生反位缺陷和铁深受主.实验结果表明,铁通过扩散充分占据了铟位,抑制了铟空位、磷反位等缺陷的形成,而磷气氛下退火后产生的缺陷有铟空位、磷反位等.对InP中的缺陷属性进行了分析.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2670713
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16405
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
赵有文,董志远. InP中深能级缺陷的产生与抑制现象[J]. 物理学报,2007,56(3):1476-1479.
APA 赵有文,&董志远.(2007).InP中深能级缺陷的产生与抑制现象.物理学报,56(3),1476-1479.
MLA 赵有文,et al."InP中深能级缺陷的产生与抑制现象".物理学报 56.3(2007):1476-1479.
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