SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷
王博; 赵有文; 董志远; 邓爱红; 苗杉杉; 杨俊
2007
Source Publication物理学报
Volume56Issue:3Pages:1603-1607
Abstract对不同气氛下高温退火非掺杂磷化铟(InP)材料的电子辐照缺陷进行了研究. 除铁受主外,磷化铁(FeP_2)气氛下退火后的InP中辐照前没有深能级缺陷,而辐照后样品的热激电流谱(TSC)中出现了5个较为明显的缺陷峰,对应的激活能分别为0.23 _eV, 0.26 _eV, 0.31 _eV, 0.37 _eV和0.46 _eV. 磷(P)气氛下退火后InP中的热生缺陷较多,电子辐照后形成的缺陷具有复合体特征. 与辐照前相比,辐照后样品的载流子浓度和迁移率产生显著变化. 在同样的条件下,经FeP_2 气氛下高温退火后的InP样品的辐照缺陷恢复速度较快. 根据这些现象分析了缺陷的属性、快速恢复机理和缺陷对材料电学性质的影响.
metadata_83四川大学物理科学与技术学院应用物理系;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2670734
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16403
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
王博,赵有文,董志远,等. 高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷[J]. 物理学报,2007,56(3):1603-1607.
APA 王博,赵有文,董志远,邓爱红,苗杉杉,&杨俊.(2007).高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷.物理学报,56(3),1603-1607.
MLA 王博,et al."高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷".物理学报 56.3(2007):1603-1607.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
4118.pdf(354KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[王博]'s Articles
[赵有文]'s Articles
[董志远]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[王博]'s Articles
[赵有文]'s Articles
[董志远]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[王博]'s Articles
[赵有文]'s Articles
[董志远]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.