高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷
	王博; 赵有文; 董志远; 邓爱红; 苗杉杉; 杨俊
	2007
Source Publication	物理学报
Volume	56 Issue:3 Pages:1603-1607
Abstract	对不同气氛下高温退火非掺杂磷化铟(InP)材料的电子辐照缺陷进行了研究. 除铁受主外，磷化铁(FeP_2)气氛下退火后的InP中辐照前没有深能级缺陷，而辐照后样品的热激电流谱(TSC)中出现了5个较为明显的缺陷峰，对应的激活能分别为0.23 _eV, 0.26 _eV, 0.31 _eV, 0.37 _eV和0.46 _eV. 磷(P)气氛下退火后InP中的热生缺陷较多，电子辐照后形成的缺陷具有复合体特征. 与辐照前相比，辐照后样品的载流子浓度和迁移率产生显著变化. 在同样的条件下，经FeP_2 气氛下高温退火后的InP样品的辐照缺陷恢复速度较快. 根据这些现象分析了缺陷的属性、快速恢复机理和缺陷对材料电学性质的影响.
metadata_83	四川大学物理科学与技术学院应用物理系;中国科学院半导体研究所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2670734
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16403
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	王博,赵有文,董志远,等. 高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷[J]. 物理学报,2007,56(3):1603-1607.
APA	王博,赵有文,董志远,邓爱红,苗杉杉,&杨俊.(2007).高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷.物理学报,56(3),1603-1607.
MLA	王博,et al."高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷".物理学报 56.3(2007):1603-1607.

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