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高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷 | |
王博![]() | |
2007 | |
Source Publication | 物理学报
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Volume | 56Issue:3Pages:1603-1607 |
Abstract | 对不同气氛下高温退火非掺杂磷化铟(InP)材料的电子辐照缺陷进行了研究. 除铁受主外,磷化铁(FeP_2)气氛下退火后的InP中辐照前没有深能级缺陷,而辐照后样品的热激电流谱(TSC)中出现了5个较为明显的缺陷峰,对应的激活能分别为0.23 _eV, 0.26 _eV, 0.31 _eV, 0.37 _eV和0.46 _eV. 磷(P)气氛下退火后InP中的热生缺陷较多,电子辐照后形成的缺陷具有复合体特征. 与辐照前相比,辐照后样品的载流子浓度和迁移率产生显著变化. 在同样的条件下,经FeP_2 气氛下高温退火后的InP样品的辐照缺陷恢复速度较快. 根据这些现象分析了缺陷的属性、快速恢复机理和缺陷对材料电学性质的影响. |
metadata_83 | 四川大学物理科学与技术学院应用物理系;中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:2670734 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16403 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 王博,赵有文,董志远,等. 高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷[J]. 物理学报,2007,56(3):1603-1607. |
APA | 王博,赵有文,董志远,邓爱红,苗杉杉,&杨俊.(2007).高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷.物理学报,56(3),1603-1607. |
MLA | 王博,et al."高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷".物理学报 56.3(2007):1603-1607. |
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