SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究
宋淑芳; 陈维德; 许振嘉; 徐叙瑢
2007
Source Publication物理学报
Volume56Issue:3Pages:1621-1626
Abstract利用Raman散射谱研究了GaN注Er以及Er+O共注样品的振动模,并讨论了共注入O对Er离子发光的影响. 在Raman散射谱中,对于注Er的GaN样品出现了300 cm~(-1)和670 cm~(-1)两个新的Raman峰,而对于Er+O共注样品,除了上述两个峰外,在360 cm~(-1)处出现了另外一个新的峰,其中300 cm~(-1)峰可以用disorder-activated Raman scattering (DARS)来解释,670 cm~(-1)峰是由于与N空位相关的缺陷引起的,而360 cm~(-1)峰是由O注入引起的缺陷络合物产生的. 由于360 cm~(-1)模的缺陷出现,从而导致Er+O共注入GaN薄膜红外光致发光(PL)强度的下降
metadata_83北京交通大学光电子研究所;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划项目(973计划),中国博士后科学基金资助课题资助的课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2670738
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16399
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
宋淑芳,陈维德,许振嘉,等. 掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究[J]. 物理学报,2007,56(3):1621-1626.
APA 宋淑芳,陈维德,许振嘉,&徐叙瑢.(2007).掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究.物理学报,56(3),1621-1626.
MLA 宋淑芳,et al."掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究".物理学报 56.3(2007):1621-1626.
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