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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: A Monolithic Integrated Logic Circuit of Resonant Tunneling Diodes and a HEMT
作者: Dai Yang;  Huang Yinglong;  Liu Wei;  Ma Long;  Yang Fuhua;  Wang Liangchen;  Zeng Yiping;  Zheng Houzhi
发表日期: 2007
摘要: A technology for the monolithic integration of resonant tunneling diodes (RTDs) and high electron mobility transistors (HEMTs) is developed. Molecular beam epitaxy is used to grow an RTD on a HEMT structure on GaAs substrate. The RTD has a room temperature peak-to-valley ratio of 5.2:1 with a peak current density of 22.5kA/cm~2. The HEMT has a 1μm gate length with a-1V threshold voltage. A logic circuit called a monostableto-bistable transition logic element (MOBILE) circuit is developed. The experimental result confirms that the fabricated logic circuit operates successfully with frequency operations of up to 2GHz.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Dai Yang;Huang Yinglong;Liu Wei;Ma Long;Yang Fuhua;Wang Liangchen;Zeng Yiping;Zheng Houzhi.A Monolithic Integrated Logic Circuit of Resonant Tunneling Diodes and a HEMT,半导体学报,2007,28(3):332-336
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