SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
双源电子束蒸发提高光学薄膜致密性的工艺研究
赵妙; 谭满清; 周代兵; 吴旭明; 王晓东
2007
Source Publication光电子·激光
Volume18Issue:1Pages:40-42
Abstract采用双源电子束蒸发的方法,在K9玻璃基片上蒸镀Si和SiO2得到的混合膜层,折射率不仅可调,而且比Si膜要高.用原子力显微镜(AFM)分别对单纯镀的Si膜与双源电子束蒸发镀的Si/SiO2混合膜层的表面形貌进行了观测,结果表明,前者表面疏松,有明显的孔洞结构;后者膜层表面细密.采用双源蒸发的成膜理论,对该方法提高膜层致密性的原因进行了探讨.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2725028
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16393
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
赵妙,谭满清,周代兵,等. 双源电子束蒸发提高光学薄膜致密性的工艺研究[J]. 光电子·激光,2007,18(1):40-42.
APA 赵妙,谭满清,周代兵,吴旭明,&王晓东.(2007).双源电子束蒸发提高光学薄膜致密性的工艺研究.光电子·激光,18(1),40-42.
MLA 赵妙,et al."双源电子束蒸发提高光学薄膜致密性的工艺研究".光电子·激光 18.1(2007):40-42.
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