SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
截止波长12μm的InAs0.04Sb0.96/GaAs的熔体外延生长及特性研究
高玉竹; 龚秀英; 陈涌海; 吴俊
2007
Source Publication光电子·激光
Volume18Issue:1Pages:67-70
Abstract用熔体外延(ME)法在半绝缘(100)GaAs衬底上成功生长出了截止波长为12 μm的InAs0.04Sb0.96外延层.傅立叶变换红外(FTIR)透射光谱揭示,InAsSb合金的禁带宽度被强烈变窄.通过分析InAs0.04Sb0.96外延层载流子浓度的温度依存性表明,其室温禁带宽度为0.105 5 eV,与透射光谱测得的数值很好地一致.通过测量12~300 K的吸收光谱,研究了InAs0.04Sb0.96/GaAs的禁带宽度的温度依存性.霍尔测量得出300 K下样品的电子迁移率为4.47×104 cm2/Vs,载流子浓度为8.77×1015 cm-3;77 K下电子迁移率为2.15×104 cm2/Vs,载流子浓度为1.57×1015 cm-3;245 K下的峰值迁移率为4.80×104 cm2/Vs.
metadata_83同济大学电子与信息工程学院;中国科学院半导体研究所;中国科学院上海技术物理研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2725036
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16391
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
高玉竹,龚秀英,陈涌海,等. 截止波长12μm的InAs0.04Sb0.96/GaAs的熔体外延生长及特性研究[J]. 光电子·激光,2007,18(1):67-70.
APA 高玉竹,龚秀英,陈涌海,&吴俊.(2007).截止波长12μm的InAs0.04Sb0.96/GaAs的熔体外延生长及特性研究.光电子·激光,18(1),67-70.
MLA 高玉竹,et al."截止波长12μm的InAs0.04Sb0.96/GaAs的熔体外延生长及特性研究".光电子·激光 18.1(2007):67-70.
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