SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
量子点阵列光致荧光谱温度依赖性研究
刘国梁; 姚江宏; 许京军; 王占国
2007
Source Publication量子电子学报
Volume24Issue:1Pages:100-104
Abstract多模量子点阵列的光致荧光(PL)光谱的温度依赖性研究对于实现高效的量子点光电器件有着非常重要的意义.利用速率方程模型模拟不同密度量子点阵列中的载流子动力学过程.研究表明,高密度量子点阵列中不同尺寸量子点族的PL强度表现不同的温度依赖关系;而低密度量子点阵列不同点族PL强度均随温度衰减.高密度量子点阵列中,载流子被热激发到浸润层后,部分地被大量子点再俘获,即在量子点族间转移;低密度量子点阵列中不同量子点族间的载流子转移受到限制。不同量子点族光致荧光强度比的最大值强烈地依赖于量子点的激活能差。
metadata_83天津市南开大学南开大学泰达应用物理学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金,长江学者和创新团队发展计划资助
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2733843
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16389
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘国梁,姚江宏,许京军,等. 量子点阵列光致荧光谱温度依赖性研究[J]. 量子电子学报,2007,24(1):100-104.
APA 刘国梁,姚江宏,许京军,&王占国.(2007).量子点阵列光致荧光谱温度依赖性研究.量子电子学报,24(1),100-104.
MLA 刘国梁,et al."量子点阵列光致荧光谱温度依赖性研究".量子电子学报 24.1(2007):100-104.
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