SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
高功率14xx nm锥形增益区脊形波导结构量子阱激光器的研制
李璟; 马骁宇; 王俊
2007
Source Publication半导体学报
Volume28Issue:1Pages:108-112
Abstract初步设计14xx nm锥形增益区脊形波导量子阱激光器材料和器件结构,利用MOCVD生长14xx nm In—GaAsP/InP量子阱激光器外延片,引入腔破坏凹槽(cavity—spoiling grooves)将有源层刻蚀断以隔离从锥形区反向传输回的高阶模,进一步改善远场光束质量.保持总腔长1900μm不变,改变脊形区的长度,其长度分别为450,700和950μm.对比三种情况的最高输出功率和远场特性,发现L_(RW)=700μm时,器件特性参数和远场光柬质量最优,斜率效率为0.32W/A,饱和输出功率为1.21W,其远场为近衍射极限的高斯分布,发散角为29°×9.6°.当固定脊形区长度为700μm,改变锥形区长度,发现当锥形区长度为1000μm时,器件特性参数进一步提高,斜率效率达0.328W/A,饱和输出功率为1.27W,远场仍为近似高斯分布.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体器件
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2741741
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16377
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
李璟,马骁宇,王俊. 高功率14xx nm锥形增益区脊形波导结构量子阱激光器的研制[J]. 半导体学报,2007,28(1):108-112.
APA 李璟,马骁宇,&王俊.(2007).高功率14xx nm锥形增益区脊形波导结构量子阱激光器的研制.半导体学报,28(1),108-112.
MLA 李璟,et al."高功率14xx nm锥形增益区脊形波导结构量子阱激光器的研制".半导体学报 28.1(2007):108-112.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
4102.pdf(313KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[李璟]'s Articles
[马骁宇]'s Articles
[王俊]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[李璟]'s Articles
[马骁宇]'s Articles
[王俊]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[李璟]'s Articles
[马骁宇]'s Articles
[王俊]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.