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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 高功率14xx nm锥形增益区脊形波导结构量子阱激光器的研制
作者: 李璟;  马骁宇;  王俊
发表日期: 2007
摘要: 初步设计14xx nm锥形增益区脊形波导量子阱激光器材料和器件结构,利用MOCVD生长14xx nm In—GaAsP/InP量子阱激光器外延片,引入腔破坏凹槽(cavity—spoiling grooves)将有源层刻蚀断以隔离从锥形区反向传输回的高阶模,进一步改善远场光束质量.保持总腔长1900μm不变,改变脊形区的长度,其长度分别为450,700和950μm.对比三种情况的最高输出功率和远场特性,发现L_(RW)=700μm时,器件特性参数和远场光柬质量最优,斜率效率为0.32W/A,饱和输出功率为1.21W,其远场为近衍射极限的高斯分布,发散角为29°×9.6°.当固定脊形区长度为700μm,改变锥形区长度,发现当锥形区长度为1000μm时,器件特性参数进一步提高,斜率效率达0.328W/A,饱和输出功率为1.27W,远场仍为近似高斯分布.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
李璟;马骁宇;王俊.高功率14xx nm锥形增益区脊形波导结构量子阱激光器的研制,半导体学报,2007,28(1):108-112
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