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高功率14xx nm锥形增益区脊形波导结构量子阱激光器的研制 | |
李璟; 马骁宇; 王俊 | |
2007 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 28Issue:1Pages:108-112 |
Abstract | 初步设计14xx nm锥形增益区脊形波导量子阱激光器材料和器件结构,利用MOCVD生长14xx nm In—GaAsP/InP量子阱激光器外延片,引入腔破坏凹槽(cavity—spoiling grooves)将有源层刻蚀断以隔离从锥形区反向传输回的高阶模,进一步改善远场光束质量.保持总腔长1900μm不变,改变脊形区的长度,其长度分别为450,700和950μm.对比三种情况的最高输出功率和远场特性,发现L_(RW)=700μm时,器件特性参数和远场光柬质量最优,斜率效率为0.32W/A,饱和输出功率为1.21W,其远场为近衍射极限的高斯分布,发散角为29°×9.6°.当固定脊形区长度为700μm,改变锥形区长度,发现当锥形区长度为1000μm时,器件特性参数进一步提高,斜率效率达0.328W/A,饱和输出功率为1.27W,远场仍为近似高斯分布. |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体器件 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:2741741 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16377 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 李璟,马骁宇,王俊. 高功率14xx nm锥形增益区脊形波导结构量子阱激光器的研制[J]. 半导体学报,2007,28(1):108-112. |
APA | 李璟,马骁宇,&王俊.(2007).高功率14xx nm锥形增益区脊形波导结构量子阱激光器的研制.半导体学报,28(1),108-112. |
MLA | 李璟,et al."高功率14xx nm锥形增益区脊形波导结构量子阱激光器的研制".半导体学报 28.1(2007):108-112. |
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