AlGaN基UV—LED的研究与进展

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	AlGaN基UV—LED的研究与进展
	魏同波; 王军喜; 闫建昌; 李晋闽
	2007
Source Publication	功能材料与器件学报
Volume	13 Issue:1 Pages:95-100
Abstract	近年来短波长紫外LED巨大的应用价值引起了人们的高度关注，成为了全球半导体领域研究和投资的新热点。本文综合分析了AlGaN材料的生长、碎裂、掺杂和欧姆接触等问题，对UV—LED的发展历程、技术路线和研究进展进行了详细介绍，并展望了未来发展方向。
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家863项目支持
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2756505
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16363
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	魏同波,王军喜,闫建昌,等. AlGaN基UV—LED的研究与进展[J]. 功能材料与器件学报,2007,13(1):95-100.
APA	魏同波,王军喜,闫建昌,&李晋闽.(2007).AlGaN基UV—LED的研究与进展.功能材料与器件学报,13(1),95-100.
MLA	魏同波,et al."AlGaN基UV—LED的研究与进展".功能材料与器件学报 13.1(2007):95-100.

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