Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
AlGaN基UV—LED的研究与进展 | |
魏同波![]() ![]() | |
2007 | |
Source Publication | 功能材料与器件学报
![]() |
Volume | 13Issue:1Pages:95-100 |
Abstract | 近年来短波长紫外LED巨大的应用价值引起了人们的高度关注,成为了全球半导体领域研究和投资的新热点。本文综合分析了AlGaN材料的生长、碎裂、掺杂和欧姆接触等问题,对UV—LED的发展历程、技术路线和研究进展进行了详细介绍,并展望了未来发展方向。 |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家863项目支持 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:2756505 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16363 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 魏同波,王军喜,闫建昌,等. AlGaN基UV—LED的研究与进展[J]. 功能材料与器件学报,2007,13(1):95-100. |
APA | 魏同波,王军喜,闫建昌,&李晋闽.(2007).AlGaN基UV—LED的研究与进展.功能材料与器件学报,13(1),95-100. |
MLA | 魏同波,et al."AlGaN基UV—LED的研究与进展".功能材料与器件学报 13.1(2007):95-100. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
4095.pdf(235KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment