SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征
董志远; 赵有文; 魏学成; 李晋闽
2007
Source Publication半导体学报
Volume28Issue:2Pages:204-208
Abstract利用物理气相传输法生长了直径40~50mm、厚约8~10mm的AlN多晶锭,最大晶粒尺寸为5mm,用喇曼散射和阴极荧光谱研究了AlN晶体的结晶质量、缺陷和结构特性.分析了不同温度下AlN晶体的导电特性,并确定在AlN晶体中存在一个激活能约为0.98eV的深能级缺陷.结合这些结果分析了PVT法生长条件对AlN体单晶生长和晶体质量的影响.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2759767
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16359
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
董志远,赵有文,魏学成,等. 物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征[J]. 半导体学报,2007,28(2):204-208.
APA 董志远,赵有文,魏学成,&李晋闽.(2007).物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征.半导体学报,28(2),204-208.
MLA 董志远,et al."物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征".半导体学报 28.2(2007):204-208.
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