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纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备及特性 | |
高建霞; 宋国峰; 甘巧强; 徐云; 郭宝山; 陈良惠![]() | |
2007 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 28Issue:2Pages:265-268 |
Abstract | 在850nm波长垂直腔面发射激光器的基础上制备了纳米孔径垂直腔面发射激光器.当小孔尺寸为400nm×400nm时,在25mA驱动电流下,其最大输出光功率达到了0.3mw,功率密度约为2mW/μm~2,文中介绍了纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备工艺,并对它的光谱特性和寿命特性进行了分析。 |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 光电子学 |
Funding Organization | 国家高技术研究发展计划资助项目,中国科学院知识创新工程 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:2759779 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16353 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 高建霞,宋国峰,甘巧强,等. 纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备及特性[J]. 半导体学报,2007,28(2):265-268. |
APA | 高建霞,宋国峰,甘巧强,徐云,郭宝山,&陈良惠.(2007).纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备及特性.半导体学报,28(2),265-268. |
MLA | 高建霞,et al."纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备及特性".半导体学报 28.2(2007):265-268. |
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