纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备及特性

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备及特性
	高建霞; 宋国峰; 甘巧强; 徐云; 郭宝山; 陈良惠
	2007
Source Publication	半导体学报
Volume	28 Issue:2 Pages:265-268
Abstract	在850nm波长垂直腔面发射激光器的基础上制备了纳米孔径垂直腔面发射激光器．当小孔尺寸为400nm×400nm时，在25mA驱动电流下，其最大输出光功率达到了0．3mw，功率密度约为2mW／μm~2,文中介绍了纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备工艺，并对它的光谱特性和寿命特性进行了分析。
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家高技术研究发展计划资助项目,中国科学院知识创新工程
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2759779
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16353
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	高建霞,宋国峰,甘巧强,等. 纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备及特性[J]. 半导体学报,2007,28(2):265-268.
APA	高建霞,宋国峰,甘巧强,徐云,郭宝山,&陈良惠.(2007).纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备及特性.半导体学报,28(2),265-268.
MLA	高建霞,et al."纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备及特性".半导体学报 28.2(2007):265-268.

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库