SOI基光耦合器研究进展

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	SOI基光耦合器研究进展
	刘艳; 余金中
	2007
Source Publication	激光与红外
Volume	37 Issue:1 Pages:18-21
Abstract	文章综述了国内外光耦合器的最新研究进展，着重介绍了目前耦合效率最高（55％），且与偏振无关的双光栅辅助定向耦合器的工艺流程、结构性能以及进一步提高耦合效率的可行性。
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家自然科学基金,973项目,863项目资助
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2790674
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16347
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	刘艳,余金中. SOI基光耦合器研究进展[J]. 激光与红外,2007,37(1):18-21.
APA	刘艳,&余金中.(2007).SOI基光耦合器研究进展.激光与红外,37(1),18-21.
MLA	刘艳,et al."SOI基光耦合器研究进展".激光与红外 37.1(2007):18-21.

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