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SOI基光耦合器研究进展 | |
刘艳; 余金中 | |
2007 | |
Source Publication | 激光与红外
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Volume | 37Issue:1Pages:18-21 |
Abstract | 文章综述了国内外光耦合器的最新研究进展,着重介绍了目前耦合效率最高(55%),且与偏振无关的双光栅辅助定向耦合器的工艺流程、结构性能以及进一步提高耦合效率的可行性。 |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 光电子学 |
Funding Organization | 国家自然科学基金,973项目,863项目资助 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:2790674 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16347 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 刘艳,余金中. SOI基光耦合器研究进展[J]. 激光与红外,2007,37(1):18-21. |
APA | 刘艳,&余金中.(2007).SOI基光耦合器研究进展.激光与红外,37(1),18-21. |
MLA | 刘艳,et al."SOI基光耦合器研究进展".激光与红外 37.1(2007):18-21. |
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