Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 1．3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计 | |
彭红玲 ; 韩勤; 杨晓红; 牛智川
| |
| 2007 | |
| Source Publication | 物理学报
 |
| Volume | 56Issue:2Pages:863-870 |
| Abstract | 结合垂直腔面发射激光器（VCSEL）原理以及量子点增益特点，计算了有源层P掺杂结构的量子点VCSEL的材料增益和3dB带宽，发现P掺杂结构可以大大提高频率特性．结合VCSEL激射条件和阈值特性，分析了对VCSEL结构的要求；分析了分布参数对频率特性的影响，对其外部封装提出了要求．设计了高频率响应的含氧化限制层的1．3μm量子点VCSEL结构． |
| metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
| Subject Area | 半导体物理 |
| Funding Organization | 国家重点基础研究发展规划,国家重点基金资助项目,国家高技术研究发展计划资助的课题 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:2792168 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16343 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 彭红玲,韩勤,杨晓红,等. 1．3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计[J]. 物理学报,2007,56(2):863-870. |
| APA | 彭红玲,韩勤,杨晓红,&牛智川.(2007).1．3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计.物理学报,56(2),863-870. |
| MLA | 彭红玲,et al."1．3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计".物理学报 56.2(2007):863-870. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 4085.pdf（525KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment