1．3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计

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题名:	1．3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计
作者:	彭红玲; 韩勤; 杨晓红; 牛智川
发表日期:	2007
摘要:	结合垂直腔面发射激光器（VCSEL）原理以及量子点增益特点，计算了有源层P掺杂结构的量子点VCSEL的材料增益和3dB带宽，发现P掺杂结构可以大大提高频率特性．结合VCSEL激射条件和阈值特性，分析了对VCSEL结构的要求；分析了分布参数对频率特性的影响，对其外部封装提出了要求．设计了高频率响应的含氧化限制层的1．3μm量子点VCSEL结构．
刊名:	物理学报
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

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彭红玲;韩勤;杨晓红;牛智川.1．3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计,物理学报,2007,56(2):863-870

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