SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
1.3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计
彭红玲; 韩勤; 杨晓红; 牛智川
2007
Source Publication物理学报
Volume56Issue:2Pages:863-870
Abstract结合垂直腔面发射激光器(VCSEL)原理以及量子点增益特点,计算了有源层P掺杂结构的量子点VCSEL的材料增益和3dB带宽,发现P掺杂结构可以大大提高频率特性.结合VCSEL激射条件和阈值特性,分析了对VCSEL结构的要求;分析了分布参数对频率特性的影响,对其外部封装提出了要求.设计了高频率响应的含氧化限制层的1.3μm量子点VCSEL结构.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家重点基础研究发展规划,国家重点基金资助项目,国家高技术研究发展计划资助的课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2792168
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16343
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
彭红玲,韩勤,杨晓红,等. 1.3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计[J]. 物理学报,2007,56(2):863-870.
APA 彭红玲,韩勤,杨晓红,&牛智川.(2007).1.3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计.物理学报,56(2),863-870.
MLA 彭红玲,et al."1.3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计".物理学报 56.2(2007):863-870.
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