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1.3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计 | |
彭红玲![]() ![]() ![]() ![]() | |
2007 | |
Source Publication | 物理学报
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Volume | 56Issue:2Pages:863-870 |
Abstract | 结合垂直腔面发射激光器(VCSEL)原理以及量子点增益特点,计算了有源层P掺杂结构的量子点VCSEL的材料增益和3dB带宽,发现P掺杂结构可以大大提高频率特性.结合VCSEL激射条件和阈值特性,分析了对VCSEL结构的要求;分析了分布参数对频率特性的影响,对其外部封装提出了要求.设计了高频率响应的含氧化限制层的1.3μm量子点VCSEL结构. |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体物理 |
Funding Organization | 国家重点基础研究发展规划,国家重点基金资助项目,国家高技术研究发展计划资助的课题 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:2792168 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16343 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 彭红玲,韩勤,杨晓红,等. 1.3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计[J]. 物理学报,2007,56(2):863-870. |
APA | 彭红玲,韩勤,杨晓红,&牛智川.(2007).1.3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计.物理学报,56(2),863-870. |
MLA | 彭红玲,et al."1.3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计".物理学报 56.2(2007):863-870. |
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