高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 1.3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计
作者: 彭红玲;  韩勤;  杨晓红;  牛智川
发表日期: 2007
摘要: 结合垂直腔面发射激光器(VCSEL)原理以及量子点增益特点,计算了有源层P掺杂结构的量子点VCSEL的材料增益和3dB带宽,发现P掺杂结构可以大大提高频率特性.结合VCSEL激射条件和阈值特性,分析了对VCSEL结构的要求;分析了分布参数对频率特性的影响,对其外部封装提出了要求.设计了高频率响应的含氧化限制层的1.3μm量子点VCSEL结构.
刊名: 物理学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
4085.pdf525KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
彭红玲;韩勤;杨晓红;牛智川.1.3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计,物理学报,2007,56(2):863-870
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [彭红玲]的文章
 [韩勤]的文章
 [杨晓红]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [彭红玲]的文章
 [韩勤]的文章
 [杨晓红]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发