SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
感应耦合等离子体刻蚀InP/InGaAsP二维光子晶体结构的研究
马小涛; 郑婉华; 任刚; 樊中朝; 陈良惠
2007
Source Publication物理学报
Volume56Issue:2Pages:977-981
Abstract为实现基于InP/hGaAsP材料的二维光子晶体结构低损伤、高各向异性的干法刻蚀,研究了对InP材料基于C1_2,BCl_3气体的感应耦合等离子体刻蚀.从等离子体轰击使衬底升温的角度分析了刻蚀机理,发现离子轰击加热引起的侧蚀与物理溅射在侧壁再沉积之间处于平衡时可以得到高各向异性刻蚀,平衡点将随ICP功率增高而向偏压减小方向移动。从而在近203V偏压下得到陡直的侧壁.在优化气体组分后,成功实现了光于晶体结构高各向异性的低偏压刻蚀.
metadata_83中国科学院半导体研究所;半导体集成技术工程研究中心,中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2792184
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16337
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
马小涛,郑婉华,任刚,等. 感应耦合等离子体刻蚀InP/InGaAsP二维光子晶体结构的研究[J]. 物理学报,2007,56(2):977-981.
APA 马小涛,郑婉华,任刚,樊中朝,&陈良惠.(2007).感应耦合等离子体刻蚀InP/InGaAsP二维光子晶体结构的研究.物理学报,56(2),977-981.
MLA 马小涛,et al."感应耦合等离子体刻蚀InP/InGaAsP二维光子晶体结构的研究".物理学报 56.2(2007):977-981.
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