SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
采用单边大光腔结构改善电吸收调制器的光场分布
杨华; 朱洪亮; 潘教青; 冯文; 谢红云; 周帆; 安欣; 边静; 赵玲娟; 陈娓兮; 王圩
2007
Source Publication物理学报
Volume56Issue:5Pages:2751-2755
Abstract设计并制备了具有单边大光腔结构的半导体电吸收(electroabsorption,EA)调制器.模拟和测试的结果均表明:单边大光腔结构能有效地改善EA调制器的光场分布,使椭圆形的近场光斑变得圆形化,从而达到与圆形模式光纤之间的匹配,有利于提高耦合效率.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家重点基础研究发展规划(973)项目,国家高技术研究发展计划(863)项目,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2793281
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16333
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
杨华,朱洪亮,潘教青,等. 采用单边大光腔结构改善电吸收调制器的光场分布[J]. 物理学报,2007,56(5):2751-2755.
APA 杨华.,朱洪亮.,潘教青.,冯文.,谢红云.,...&王圩.(2007).采用单边大光腔结构改善电吸收调制器的光场分布.物理学报,56(5),2751-2755.
MLA 杨华,et al."采用单边大光腔结构改善电吸收调制器的光场分布".物理学报 56.5(2007):2751-2755.
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