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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 微量掺碳ne-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层
作者: 许颖;  刁宏伟;  张世斌;  励旭东;  曾湘波;  王文静;  廖显伯
发表日期: 2007
摘要: 采用等离子增强化学气相沉积方法(PEVVD)制备了微量掺碳的p型纳米非晶硅碳薄膜(p-nc-SiC:H),反应气体为硅烷和甲烷,掺杂气体采用硼烷,沉积温度分别采用333 K,353 K和373 K.测量结果表明随着沉积温度增加和碳含量的增加,薄膜的光学带隙增加;薄膜具有较宽的带隙和较高的电导率,同时有较低的激活能(0.06 eV).Raman和XRD测量结果表明薄膜存在纳米晶.优化的p型纳米非晶硅碳薄膜作为非晶硅p-i-n太阳电池的窗口层,使得太阳电池的开路电压达到0.94 V.
刊名: 物理学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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许颖;刁宏伟;张世斌;励旭东;曾湘波;王文静;廖显伯.微量掺碳ne-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层,物理学报,2007,56(5):2915-2919
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