SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
微量掺碳ne-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层
许颖; 刁宏伟; 张世斌; 励旭东; 曾湘波; 王文静; 廖显伯
2007
Source Publication物理学报
Volume56Issue:5Pages:2915-2919
Abstract采用等离子增强化学气相沉积方法(PEVVD)制备了微量掺碳的p型纳米非晶硅碳薄膜(p-nc-SiC:H),反应气体为硅烷和甲烷,掺杂气体采用硼烷,沉积温度分别采用333 K,353 K和373 K.测量结果表明随着沉积温度增加和碳含量的增加,薄膜的光学带隙增加;薄膜具有较宽的带隙和较高的电导率,同时有较低的激活能(0.06 eV).Raman和XRD测量结果表明薄膜存在纳米晶.优化的p型纳米非晶硅碳薄膜作为非晶硅p-i-n太阳电池的窗口层,使得太阳电池的开路电压达到0.94 V.
metadata_83中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心;葡萄牙里斯本大学材料中心;北京市太阳能研究所有限公司
Subject Area半导体材料
Funding Organization北京市自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2793309
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16331
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
许颖,刁宏伟,张世斌,等. 微量掺碳ne-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层[J]. 物理学报,2007,56(5):2915-2919.
APA 许颖.,刁宏伟.,张世斌.,励旭东.,曾湘波.,...&廖显伯.(2007).微量掺碳ne-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层.物理学报,56(5),2915-2919.
MLA 许颖,et al."微量掺碳ne-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层".物理学报 56.5(2007):2915-2919.
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