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InAs单层和亚单层结构中的自旋动力学研究 | |
孙征; 徐仲英; 阮学忠; 姬扬; 孙宝权; 倪海桥 | |
2007 | |
Source Publication | 物理学报
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Volume | 56Issue:5Pages:2958-2961 |
Abstract | 利用偏振时间分辨光谱和时间分辨Kerr旋转谱,研究了(GaAs中的InAs单层和亚单层的电子自旋动力学.实验发现,在非共振激发条件下,厚度为l/3单层的InAs山亚单层中电子自旋弛豫寿命长达3.4 ns,而1个单层厚的InAs层的电子自旋寿命只有0.48 ns;而在共振激发条件下,亚单层结构中的电子自旋寿命大大减少,只有70ps,单层hLAs中电子自旋寿命没有显著变化.分析表明,低温下InAa单层和亚单层结构中,Bir-Aronov-Pikus(BAP)自旋弛豫机理占主导地位.通过改变材料结构特性和激发条件来改变电子空穴的空间相关性,从而达到控制自旋弛豫的目的. |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体物理 |
Funding Organization | 国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:2793316 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16329 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 孙征,徐仲英,阮学忠,等. InAs单层和亚单层结构中的自旋动力学研究[J]. 物理学报,2007,56(5):2958-2961. |
APA | 孙征,徐仲英,阮学忠,姬扬,孙宝权,&倪海桥.(2007).InAs单层和亚单层结构中的自旋动力学研究.物理学报,56(5),2958-2961. |
MLA | 孙征,et al."InAs单层和亚单层结构中的自旋动力学研究".物理学报 56.5(2007):2958-2961. |
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