SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
InAs单层和亚单层结构中的自旋动力学研究
孙征; 徐仲英; 阮学忠; 姬扬; 孙宝权; 倪海桥
2007
Source Publication物理学报
Volume56Issue:5Pages:2958-2961
Abstract利用偏振时间分辨光谱和时间分辨Kerr旋转谱,研究了(GaAs中的InAs单层和亚单层的电子自旋动力学.实验发现,在非共振激发条件下,厚度为l/3单层的InAs山亚单层中电子自旋弛豫寿命长达3.4 ns,而1个单层厚的InAs层的电子自旋寿命只有0.48 ns;而在共振激发条件下,亚单层结构中的电子自旋寿命大大减少,只有70ps,单层hLAs中电子自旋寿命没有显著变化.分析表明,低温下InAa单层和亚单层结构中,Bir-Aronov-Pikus(BAP)自旋弛豫机理占主导地位.通过改变材料结构特性和激发条件来改变电子空穴的空间相关性,从而达到控制自旋弛豫的目的.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2793316
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16329
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
孙征,徐仲英,阮学忠,等. InAs单层和亚单层结构中的自旋动力学研究[J]. 物理学报,2007,56(5):2958-2961.
APA 孙征,徐仲英,阮学忠,姬扬,孙宝权,&倪海桥.(2007).InAs单层和亚单层结构中的自旋动力学研究.物理学报,56(5),2958-2961.
MLA 孙征,et al."InAs单层和亚单层结构中的自旋动力学研究".物理学报 56.5(2007):2958-2961.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
4078.pdf(335KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[孙征]'s Articles
[徐仲英]'s Articles
[阮学忠]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[孙征]'s Articles
[徐仲英]'s Articles
[阮学忠]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[孙征]'s Articles
[徐仲英]'s Articles
[阮学忠]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.