InAs单层和亚单层结构中的自旋动力学研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	InAs单层和亚单层结构中的自旋动力学研究
	孙征; 徐仲英; 阮学忠; 姬扬; 孙宝权; 倪海桥
	2007
Source Publication	物理学报
Volume	56 Issue:5 Pages:2958-2961
Abstract	利用偏振时间分辨光谱和时间分辨Kerr旋转谱,研究了(GaAs中的InAs单层和亚单层的电子自旋动力学.实验发现,在非共振激发条件下,厚度为l/3单层的InAs山亚单层中电子自旋弛豫寿命长达3.4 ns,而1个单层厚的InAs层的电子自旋寿命只有0.48 ns;而在共振激发条件下,亚单层结构中的电子自旋寿命大大减少,只有70ps,单层hLAs中电子自旋寿命没有显著变化.分析表明,低温下InAa单层和亚单层结构中,Bir-Aronov-Pikus(BAP)自旋弛豫机理占主导地位.通过改变材料结构特性和激发条件来改变电子空穴的空间相关性,从而达到控制自旋弛豫的目的.
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	半导体物理
Funding Organization	国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2793316
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16329
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	孙征,徐仲英,阮学忠,等. InAs单层和亚单层结构中的自旋动力学研究[J]. 物理学报,2007,56(5):2958-2961.
APA	孙征,徐仲英,阮学忠,姬扬,孙宝权,&倪海桥.(2007).InAs单层和亚单层结构中的自旋动力学研究.物理学报,56(5),2958-2961.
MLA	孙征,et al."InAs单层和亚单层结构中的自旋动力学研究".物理学报 56.5(2007):2958-2961.

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