SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
SOI纳米线波导和相关器件研究进展
徐学俊; 余金中; 陈少武
2007
Source Publication半导体光电
Volume28Issue:1Pages:5-7
AbstractSOI纳米线波导具有对光场限制作用强、传输损耗低、弯曲半径小、集成度高、与传统CMOS工艺兼容等优点,采用SOI纳米线波导能够大大缩小光子器件的长度和面积,提高器件工作速度和效率,降低器件功耗.介绍了SOI纳米线波导在模式、损耗、偏振等方面与传统大尺寸硅基波导所表现出来的不同特性,评述了当前关于SOI纳米线波导和基于SOI纳米线波导光子器件的最新研究进展.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2808757
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16327
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
徐学俊,余金中,陈少武. SOI纳米线波导和相关器件研究进展[J]. 半导体光电,2007,28(1):5-7.
APA 徐学俊,余金中,&陈少武.(2007).SOI纳米线波导和相关器件研究进展.半导体光电,28(1),5-7.
MLA 徐学俊,et al."SOI纳米线波导和相关器件研究进展".半导体光电 28.1(2007):5-7.
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