SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
稀磁半导体的研究进展
赵建华; 邓加军; 郑厚植
2007
Source Publication物理学进展
Volume27Issue:2Pages:109-150
Abstract本文主要介绍了III-V族稀磁半导体(Ga,Mn)As的研究进展,包括(Ga,Mn)As的生长制备、基本磁性质、磁输运特征、磁光性质、磁性起源、相关的异质结构和自旋注入等,同时还简单介绍了其它稀磁半导体如IV族、III-VI族和IV-VI族等稀磁半导体的研究进展,在文章的最后描述了理想的稀磁半导体应该具备的特征以及对未来的展望。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金重点项目,创新群体项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2815503
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16325
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
赵建华,邓加军,郑厚植. 稀磁半导体的研究进展[J]. 物理学进展,2007,27(2):109-150.
APA 赵建华,邓加军,&郑厚植.(2007).稀磁半导体的研究进展.物理学进展,27(2),109-150.
MLA 赵建华,et al."稀磁半导体的研究进展".物理学进展 27.2(2007):109-150.
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