高级检索   注册
Email
密 码
  登录|提交
 
提交指南
 
  研究部门
  学科主题
 
内容类型
  所有条目
  所有作者
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所（2009年前）  > 期刊论文

题名: 稀磁半导体的研究进展
作者: 赵建华;  邓加军;  郑厚植
发表日期: 2007
摘要: 本文主要介绍了III-V族稀磁半导体(Ga,Mn)As的研究进展,包括(Ga,Mn)As的生长制备、基本磁性质、磁输运特征、磁光性质、磁性起源、相关的异质结构和自旋注入等,同时还简单介绍了其它稀磁半导体如IV族、III-VI族和IV-VI族等稀磁半导体的研究进展,在文章的最后描述了理想的稀磁半导体应该具备的特征以及对未来的展望。
刊名: 物理学进展
专题: 中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
4076.pdf4322KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明：条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式：
赵建华;邓加军;郑厚植.稀磁半导体的研究进展,物理学进展,2007,27(2):109-150
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [赵建华]的文章
 [邓加军]的文章
 [郑厚植]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [赵建华]的文章
 [邓加军]的文章
 [郑厚植]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。

 

 
Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持：中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发