稀磁半导体的研究进展

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	稀磁半导体的研究进展
	赵建华; 邓加军; 郑厚植
	2007
Source Publication	物理学进展
Volume	27 Issue:2 Pages:109-150
Abstract	本文主要介绍了III-V族稀磁半导体(Ga,Mn)As的研究进展,包括(Ga,Mn)As的生长制备、基本磁性质、磁输运特征、磁光性质、磁性起源、相关的异质结构和自旋注入等,同时还简单介绍了其它稀磁半导体如IV族、III-VI族和IV-VI族等稀磁半导体的研究进展,在文章的最后描述了理想的稀磁半导体应该具备的特征以及对未来的展望。
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	半导体物理
Funding Organization	国家自然科学基金重点项目,创新群体项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2815503
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16325
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	赵建华,邓加军,郑厚植. 稀磁半导体的研究进展[J]. 物理学进展,2007,27(2):109-150.
APA	赵建华,邓加军,&郑厚植.(2007).稀磁半导体的研究进展.物理学进展,27(2),109-150.
MLA	赵建华,et al."稀磁半导体的研究进展".物理学进展 27.2(2007):109-150.

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