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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 稀磁半导体的研究进展
作者: 赵建华;  邓加军;  郑厚植
发表日期: 2007
摘要: 本文主要介绍了III-V族稀磁半导体(Ga,Mn)As的研究进展,包括(Ga,Mn)As的生长制备、基本磁性质、磁输运特征、磁光性质、磁性起源、相关的异质结构和自旋注入等,同时还简单介绍了其它稀磁半导体如IV族、III-VI族和IV-VI族等稀磁半导体的研究进展,在文章的最后描述了理想的稀磁半导体应该具备的特征以及对未来的展望。
刊名: 物理学进展
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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赵建华;邓加军;郑厚植.稀磁半导体的研究进展,物理学进展,2007,27(2):109-150
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